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전자회로 BJT, MOSFET 정리 (sedra smith 전자회로 경북대 편입 준비용, 합격자노트)

저작시기 2017.12 |등록일 2018.05.10 | 최종수정일 2018.07.23 파일확장자어도비 PDF (pdf) | 77페이지 | 가격 6,000원

목차

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본문내용

Chapter 4. Bipolar Junction Transistor
BJT의 구조 및 동작모드

Bipolar ?
electron(전자)와 hole(정공)이 Device의 Operation에 관여하며 BJT의 동작에 결정적인 역할 을 하는 것이 P형에서의 전자, 즉 소수 캐리어이기 때문에 BJT를 minority carrier device라 고도 한다.

Transistor?
Trans-resistor : ‘저항 값을 변하게 하는’의 ‘트랜스’와 ‘레지스터’의 합성어. ‘베이스에 흘려 주는 전류의 크기에 따라서, 컬렉터와 에미터 사이의 저항 값의 변화’가 일어나는 소자.
화살표의 위치는 에미터의 위치를 나타내며 P에서 N으로 향한다. (전류의 방향을 의미)

BJT의 동작모드
Active mode : 활성모드. BJT를 증폭기로 사용할 때 가장 유용한 바이어스 모드
Cutoff mode : 베이스에 전자가 주입되지 않아 모든 전류는 0이다. 디지털 회로에서 off 상 태 또는 개방 스위치로 쓰인다.
Saturation mode : 디지털 회로에서 on 상태 또는 닫힌 스위치로 쓰인다.(컬렉터 전류와 에 미터 전류가 베이스 전류에 비례하지 않고 C-E 사이에 Vce(sat)=0.3v가 걸린다.)
Reverse active mode : 증폭기로써는 상당히 성능이 떨어지게 된다. 거의 쓰이지 않는다.

Thermal equilibrium : 열적 평형 상태
Rate of ionization (=rate of recombination) : 이온화율 = 재결합률

도핑 농도 : 이미터 > 베이스 > 컬렉터
이미터 : 전류운반 캐리어(npn의 경우 전자)를 제공
컬렉터 : 베이스 영역을 지나온 캐리어(npn의 경우 전 자)가 모이는 영역
베이스 : 이미터에서 주입된 캐리어가 컬렉터로 도달하기 위해 지나가는 영역. BJT의 전류 증폭률을 크게 만들기 위해 폭이 매우 얇게 만들어진다.(얇은 폭으로 인한 강한 전계형성)

참고 자료

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