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평가점수B

반도체 제조 공정

등록일 2001.09.23 파워포인트파일MS 파워포인트 (ppt) | 36페이지 | 가격 1,000원

본문내용

PREPARATION OF CHARGE
STACKING : QUARTZ CRUCIBLE내에 POLY SILICON을 쌓음 POLY SILICON이 완전히 용해(MELT DOWN)하는데 많은 시간소요 STACKING하는 방법은 먼저 QUARTZ CRUCIBLE에 DOPANT를 넣고, POLY SILICON을 돔(DOME)형태가 되게 쌓는다. 주의할 점은 STACKING시 청결해야 하며, 어떠한 불순물도 QUARTZ CRUCIBLE 안에 들어가게 해서는 안된다.

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